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三星台积电将生产3纳米芯片 不同技术优劣未知

  芯片领域在先进制程上竞争激烈,台积电和三星电子最近都宣布今年下半年开始量产3纳米芯片,专家认为,芯片良率是胜负关键。

  三星电子7月25日宣布,将采用GAA(Gate-All-Around,环绕式闸极技术)量产3纳米芯片。而台积电总裁魏哲家在4月16日法人说明会也已揭露,其3纳米制程采用FinFET(鳍式场效电芯片)架构,预定今年下半年开始量产。

三星台积电将生产3纳米芯片 不同技术优劣未知插图

  三星在其官网上表示,以GAA技术打造,相较FinFET制程,可以挑战性能上的限制,由减少供应电压来改善能源效益,并通过增加驱动电流能力来强化性能。此外,三星将首次拓展高性能、低功耗的计算领域,并计划拓展至移动处理器。

  对于为何台积电3纳米不导入GAA,半导体业界的资深媒体人徐嵚煌对外媒表示,台积电是为了配合客户才用FinFET。芯片制造的客户是IC设计业者,以FinFET做产品开发设计多年,对该模式习惯且熟悉。

  徐嵚煌进一步说,就IC业者而言,开发设计一块IC要投入成本很高,约330万至665万美元,要导入GAA新技术需要投入开发成本,产品设计上需要更长时间,一旦投入开发后,会遇到什么风险都还是未知数,估计普遍还是会选择让良率保持较高的制程。

  徐嵚煌表示,台积电有GAA技术,而且根据专利查询,台积电在GAA技术专利比三星还多。预计台积电在下一个阶段就会导入,因为2纳米需要做到更小的线宽,预计还是需要用到GAA。而三星发布新技术,可以吸引客户来试用新技术,这也是巩固客户的机会。

  根据市场研究机构集邦科技TrendForce调查显示,今年首季,全球晶圆代工市场市占比,台积电占比53.6%,三星居次约16.3%。

  三星希望以GAA,在3纳米芯片制程超前台积电,主因是台积电近年独占大客户苹果公司应用处理器代工的订单,三星因此希望将苹果订单重新夺回。

  对于迄今三星尚未公布3纳米的首批客户,刘佩真提到,目前似乎只看到中国一家加密货币公司及高通下单。

  对于良率的部分,刘佩真认为,三星采用GAA新技术,困难度相对提高,预期良率短期内不容易提升,可能要到2024、2025年、甚至要到2纳米阶段,良率才能够改善。

  不过,书生家电网引述外媒报导韩国半导体分析师Greg Roh则持正面看法表示,三星3纳米制程良率提升速度远高于市场预期,新增客户速度相当快。










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