半导体封装失效分析 蔡司研发3D X光成像方案

　　半导体产业通过3D芯片堆叠及其他封装规格，发展新封装方法和测试方式。蔡司研发3D X光成像方案，支持2.5D或3D及扇出型晶圆级封装失效分析。

　　半导体产业逼近CMOS微小化极限，封装必须协助弥补性能落差。因应生产体积不断缩小、运算速度更快的元件，满足低功耗需求，半导体产业借由3D芯片堆叠及其他新封装规格，发展出新封装方法。

　　不过，业界人士指出，这也产生日趋复杂的封装架构、新的制程挑战以及日渐升高的封装失效风险。失效的位置通常深藏在复杂的3D结构内部，传统的视觉化失效定位方法，逐渐失去效益，新的检测方式必须有效识别、并判定先进封装失效的原因。

　　例如光学与光电大厂蔡司研发3D X-ray成像方案，可针对埋藏在完整的先进封装3D架构中的电路板与其缺陷，呈现次微米与奈米级的3D影像，在进行物理失效分析之前，提供失效位置的资讯，可支持2.5D或3D及扇出型晶圆级封装等各种半导体封装的失效分析。

　　相关方案可把导致封装层级失效的缺陷图像化，例如凸块或微凸块的裂痕、焊料润湿或硅穿孔形成的孔洞等，在进行物理失效分析之前，绘制出各种缺陷的3D图像，以减少人为的瑕疵，并通过剖面图确定方向，提升失效分析的成功率。